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對抗價格暴跌 美光減產NAND和DRAM

(資料圖片)

由于對商品存儲器的需求迅速惡化和價格下跌，美光公司正在削減3D NAND和DRAM的晶圓開工量，與上一季度相比立即減少20%。該公司現在預計其3D NAND比特產出在下一個日歷年增長不明顯，而其DRAM比特產出將在2023年減少。

為了應對3D NAND和DRAM內存需求的放緩，美光公司將比2022財年第四季度（截至2022年9月1日）減少約20%的晶圓啟動。削減將在美光用于大批量生產的所有技術節點上進行，因此基本上該公司正在削減其幾乎所有類型產品的產量。

美光正在進行的2023財年第一季度在12月初結束，所以今天削減晶圓的開工率對該公司該季度的業績或市場幾乎不會產生有意義的影響。由于3D NAND和DRAM的生產和測試/包裝周期都相當長，市場將在幾周后感受到美光削減的影響。同時，現貨價格可能會更早地對美光的公告做出反應。

但目前的晶圓開工削減將對該公司整個2023財年的產出產生影響，因為美光預計其DRAM位產出將下降，而3D NAND位產出將在"個位數百分比范圍內增長。

美光今年夏天啟動了232層3D NAND存儲器的生產，今天早些時候開始在其1β（1-beta）制造工藝上制造LPDDR5X存儲器。這兩個新的生產節點將使美光減少成本并提高比特產出，但該公司在9月底警告說，它將減緩232層3D NAND和1β DRAM的生產速度，以限制比特產出。美光的232層3D NAND器件具有2400MT/s的接口，將實現PCIe 5.0 x4接口的最快固態硬盤，其12.4GB/s的連續讀取速度將超過目前的最佳固態硬盤。

美光公司還在9月披露，其2023財年的資本支出總額約為80億美元，比2022財年下降30%。削減主要涉及采購新的晶圓廠設備，這將放緩該公司最新制造技術的采用。由于該公司正在建設其在愛達荷州的新工廠，該公司的建筑資本支出預計將增加一倍以上。今天，該公司說它正在 "努力實現額外的資本支出削減"，但沒有詳細說明。

"美光公司正在采取大膽和積極的措施，減少比特供應的增長，以限制我們的庫存規模，"美光公司首席執行官Sanjay Mehrotra說。"我們將繼續監測行業狀況，并根據需要做出進一步調整。盡管有近期的周期性挑戰，我們對我們市場的世俗需求驅動力仍有信心，從長遠來看，預計內存和存儲收入的增長將超過半導體行業的其他部分。"

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